UV LED是LED的一種，是單波長的不可見光，一般在400nm以下。主要有365nm和395nm。UV膠固化一般使用365nm波長。通過專門設計使UVLED能發出一個完整連續紫外光帶，滿足封邊，印刷等領域的生產需要。線光源有超長的壽命、冷光源、無熱輻射、壽命不受開閉次數影響、能量高、照射均勻提高生產效率，不含有毒物物質比傳統的光源更安全、更環保。
組成
UVLED（紫外LED）由夾在較薄GaN三明治結構中給一個或多個InGaN量子阱組成，形成的有源區為覆層。通過改變InGaN量子阱中InN-GaN的相對比例，發射波長可由紫光變到其他光。AlGaN通過改變AlN比例能用于制作UVLED中的覆層和量子阱層，但這些器件的效率和成熟度較差。如果有源量子阱層是GaN，與之相對是InGaN或AlGaN合金，則器件發射的光譜范圍為350~370nm。
UV LED固化是指將來自發光二極管（LEDs）的紫外（UV）區光譜的“能量”輸出來處理涂料、膠粘劑、油墨等紫外光固化材料的一種技術。由紫外光產生的能量會引發自由基聚合反應，導致濕的原料發生聚合，從而使材料硬化
UV LED是LED的一種，是單波長的不可見光，一般在400nm以下。主要有365nm和395nm。UV膠固化一般使用365nm波長。通過專門設計使UVLED能發出一個完整連續紫外光帶，滿足封邊，印刷等領域的生產需要。線光源有超長的壽命、冷光源、無熱輻射、壽命不受開閉次數影響、能量高、照射均勻提高生產效率，不含有毒物物質比傳統的光源更安全、更環保。
組成
UVLED（紫外LED）由夾在較薄GaN三明治結構中給一個或多個InGaN量子阱組成，形成的有源區為覆層。通過改變InGaN量子阱中InN-GaN的相對比例，發射波長可由紫光變到其他光。AlGaN通過改變AlN比例能用于制作UVLED中的覆層和量子阱層，但這些器件的效率和成熟度較差。如果有源量子阱層是GaN，與之相對是InGaN或AlGaN合金，則器件發射的光譜范圍為350~370nm。
UV LED固化是指將來自發光二極管（LEDs）的紫外（UV）區光譜的“能量”輸出來處理涂料、膠粘劑、油墨等紫外光固化材料的一種技術。由紫外光產生的能量會引發自由基聚合反應，導致濕的原料發生聚合，從而使材料硬化
